反向传输电容(Crss):1391pF@20V,导通电阻(RDS(on)):2.9mΩ@10V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):206nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):312W,连续漏极电流(Id):222A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1391pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 206nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 连续漏极电流(Id) | 222A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.14/个 |
| 10+ | ¥4.04/个 |
| 30+ | ¥3.98/个 |
| 100+ | ¥3.92/个 |
| 102+ | ¥3.92/个 |
| 104+ | ¥3.92/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.6064
800 PCS/盘
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