反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):43nC@48V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):1100pF,输出电容(Coss):510pF,连续漏极电流(Id):27A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@48V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 输入电容(Ciss) | 1100pF | |
| 输出电容(Coss) | 510pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.56/个 |
| 10+ | ¥2.01/个 |
| 50+ | ¥1.78/个 |
| 100+ | ¥1.48/个 |
| 500+ | ¥1.35/个 |
| 1000+ | ¥1.27/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.6376
50 PCS/盘
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