反向传输电容(Crss):42pF,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):61nC@10V,漏源电压(Vdss):120V,耗散功率(Pd):208W,输入电容(Ciss):4050pF,输出电容(Coss):1046pF,连续漏极电流(Id):125A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 输入电容(Ciss) | 4050pF | |
| 输出电容(Coss) | 1046pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.263/个 |
| 10+ | ¥4.237/个 |
| 30+ | ¥3.724/个 |
| 100+ | ¥3.211/个 |
| 500+ | ¥2.746/个 |
| 800+ | ¥2.584/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.584
800 PCS/盘