反向传输电容(Crss):75pF@50V,导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):158nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):11500pF@50V,连续漏极电流(Id):220A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V,50A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 11500pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.667/个 |
| 10+ | ¥3.582/个 |
| 30+ | ¥3.525/个 |
| 100+ | ¥3.468/个 |
| 102+ | ¥3.468/个 |
| 104+ | ¥3.468/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.29
800 PCS/盘
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