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VBQF5325
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBQF5325
- 商品编号
- C7541194
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 商品毛重
- 0.00006千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):33pF,反向传输电容(Crss):37pF,导通电阻(RDS(on)):0.013Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.04Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6nC@10V,栅极电荷量(Qg):41.5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2.7W,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):900pF,输入电容(Ciss):1200pF,输出电容(Coss):115pF,输出电容(Coss):95pF,连续漏极电流(Id):8A,连续漏极电流(Id):6A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.013Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.04Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1200pF | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
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