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SI7403BDN-T1-GE3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SI7403BDN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C18794993
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 商品毛重
- 0.0001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):555pF,导通电阻(RDS(on)):0.023Ω@1.8V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):35nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):37W,输入电容(Ciss):2220pF,输出电容(Coss):865pF,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@0.25mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 555pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.023Ω@1.8V,1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 输入电容(Ciss) | 2220pF | |
| 输出电容(Coss) | 865pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@0.25mA |
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