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SI7106DN-T1-E3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SI7106DN-T1-E3-VB
- 商品编号
- C20755687
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 商品毛重
- 0.000175千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):38pF,导通电阻(RDS(on)):0.0055Ω@4.5V,导通电阻(RDS(on)):0.0057Ω@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12.4nC@10V,栅极电荷量(Qg):9.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):31.2W,输入电容(Ciss):1450pF,输出电容(Coss):445pF,连续漏极电流(Id):58A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0055Ω@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0057Ω@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.4nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1450pF | |
| 输出电容(Coss) | 445pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
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