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SI7121ADN-T1-GE3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SI7121ADN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22395993
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 商品毛重
- 0.00031千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):312pF,导通电阻(RDS(on)):17mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):13nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):52W,输入电容(Ciss):1800pF,输出电容(Coss):370pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 312pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 输入电容(Ciss) | 1800pF | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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