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CSD17304Q3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- CSD17304Q3-VB
- 商品编号
- C7569119
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 商品毛重
- 0.000195千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):360pF,导通电阻(RDS(on)):3.9mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):33.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):52W,输入电容(Ciss):6000pF,输出电容(Coss):406pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 输入电容(Ciss) | 6000pF | |
| 输出电容(Coss) | 406pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.012/个 |
| 10+ | ¥3.307/个 |
| 30+ | ¥2.958/个 |
| 100+ | ¥2.61/个 |
| 500+ | ¥1.998/个 |
| 1000+ | ¥1.887/个 |
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