反向传输电容(Crss):86pF@20V,导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):36nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):59.5W,输入电容(Ciss):1980pF@20V,连续漏极电流(Id):95A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1980pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |