温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7110DN-T1-GE3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SI7110DN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7494471
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 商品毛重
- 0.000083千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):38pF@15V,导通电阻(RDS(on)):-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):3.6W,输入电容(Ciss):1450pF@15V,连续漏极电流(Id):19.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 1450pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
1.836 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车