反向传输电容(Crss):4pF@75V,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,10A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):81W,输入电容(Ciss):1190pF@75V,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@75V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 输入电容(Ciss) | 1190pF@75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.34/个 |
| 10+ | ¥2.69/个 |
| 30+ | ¥2.37/个 |
| 100+ | ¥2.04/个 |
| 500+ | ¥1.85/个 |
| 800+ | ¥1.75/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.61
800 PCS/盘
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