反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):440mΩ@10V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):33W,输入电容(Ciss):1200pF,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 输入电容(Ciss) | 1200pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |