反向传输电容(Crss):110pF@25V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):10A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.845/个 |
10+ | ¥3.943/个 |
50+ | ¥3.202/个 |
100+ | ¥2.755/个 |
500+ | ¥2.48/个 |
1000+ | ¥2.347/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.94584
50 PCS/盘
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