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FDH50N50-F133
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDH50N50-F133
- 商品编号
- C898144
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.0074千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):105mΩ@10V,24A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):137nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):625W,输入电容(Ciss):6460pF@25V,连续漏极电流(Id):48A,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V,24A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 输入电容(Ciss) | 6460pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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