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FCP190N65S3

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品牌名称
onsemi(安森美)
厂家型号
FCP190N65S3
商品编号
C898518
商品封装
TO-220
商品毛重
0.00267千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):190mΩ@10V,8.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):33nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):144W,输入电容(Ciss):1350pF@400V,连续漏极电流(Id):17A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)-
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V,8.5A
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)33nC@10V
漏源电压(Vdss)650V
耗散功率(Pd)144W
输入电容(Ciss)1350pF@400V
连续漏极电流(Id)17A
阈值电压(Vgs(th))4.5V

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整盘

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