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FDP053N08B-F102
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDP053N08B-F102
- 商品编号
- C898584
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00268千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):20.5pF@40V,导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ@10V,75A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):85nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):146W,输入电容(Ciss):5960pF@40V,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20.5pF@40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,75A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 146W | |
| 输入电容(Ciss) | 5960pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥32.03/个 |
| 10+ | ¥27.72/个 |
| 30+ | ¥25.15/个 |
| 100+ | ¥22.56/个 |
| 500+ | ¥21.36/个 |
| 800+ | ¥20.82/个 |
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