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NTBG060N090SC1
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTBG060N090SC1
- 商品编号
- C898802
- 商品封装
- D2PAK-7
- 商品毛重
- 0.0019千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):12pF@450V,反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):84mΩ@15V,20A,导通电阻(RDS(on)):84mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):88nC@15V,栅极电荷量(Qg):88nC,漏源电压(Vdss):900V,漏源电压(Vdss):900V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):211W,耗散功率(Pd):211W,耗散功率(Pd):211W,输入电容(Ciss):1800pF@450V,输入电容(Ciss):1800pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):44A,连续漏极电流(Id):44A,连续漏极电流(Id):44A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V,阈值电压(Vgs(th)):4.3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@450V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 84mΩ@15V,20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 84mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 211W | |
| 耗散功率(Pd) | 211W | |
| 耗散功率(Pd) | 211W | |
| 输入电容(Ciss) | 1800pF@450V | |
| 输入电容(Ciss) | 1800pF | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
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