反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.38Ω@10V,8A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):80nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):16A,配置:半桥,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.38Ω@10V,8A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 16A | |
配置 | 半桥 | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |