反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):90nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):54W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 54W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |