反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):10.5Ω@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):34nC@10V,漏源电压(Vdss):1500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):32W,输入电容(Ciss):650pF,输出电容(Coss):70pF,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):4V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 10.5Ω@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 1500V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 32W | |
输入电容(Ciss) | 650pF | |
输出电容(Coss) | 70pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |