反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:0℃~+70℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):10.6V,类型:-,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):30pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):1.72V@1uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.72V@1uA |