反向传输电容(Crss):200pF,导通电阻(RDS(on)):14mΩ@10V,工作温度:-,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):17.9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1810pF,输出电容(Coss):232pF,连续漏极电流(Id):-,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1810pF | |
| 输出电容(Coss) | 232pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |