反向传输电容(Crss):123pF,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@10V,9.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):43nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:-,耗散功率(Pd):1.54W,输入电容(Ciss):1849pF,输出电容(Coss):158pF,连续漏极电流(Id):9.8A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V@0.25mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 123pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,9.8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.54W | |
| 输入电容(Ciss) | 1849pF | |
| 输出电容(Coss) | 158pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@0.25mA |