温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4966DY-T1-E3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI4966DY-T1-E3
- 商品编号
- C141512
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000245千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.035Ω@2.5V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):7.1A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.035Ω@2.5V,6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
数据手册PDF
暂无数据手册PDF
预订参考价
18.41 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车