反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@2.5V,5.6A,工作温度:-,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):170pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V,5.6A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |