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FDS6900AS
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS6900AS
- 商品编号
- C905069
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.00022千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):27mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):6.9A,连续漏极电流(Id):8.2A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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