温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4378DY-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI4378DY-T1-GE3
- 商品编号
- C141586
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000245千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):650pF,导通电阻(RDS(on)):0.0042Ω@2.5V,22A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.5W,输入电容(Ciss):8500pF,输出电容(Coss):1250pF,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0042Ω@2.5V,22A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 8500pF | |
| 输出电容(Coss) | 1250pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
数据手册PDF
暂无数据手册PDF
预订参考价
3.08 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车