反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):14Ω@5V,0.1V,工作温度:0℃~+70℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):10V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):0.02V@20uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@5V,0.1V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.02V@20uA |