反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):65nC@10V,漏源电压(Vdss):68V,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):2900pF,输出电容(Coss):340pF,连续漏极电流(Id):88A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 输入电容(Ciss) | 2900pF | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |