反向传输电容(Crss):149pF,导通电阻(RDS(on)):6.8mΩ@10V,65A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):230W,输入电容(Ciss):3142pF,输出电容(Coss):515pF,连续漏极电流(Id):130A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 149pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V,65A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 输入电容(Ciss) | 3142pF | |
| 输出电容(Coss) | 515pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |