温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
TTB115N08A
扩展库- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 厂家型号
- TTB115N08A
- 商品编号
- C691695
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.00176千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):261pF@40V,导通电阻(RDS(on)):6.4mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):112nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):6.65nF@40V,连续漏极电流(Id):115A,阈值电压(Vgs(th)):3V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 261pF@40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 输入电容(Ciss) | 6.65nF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
1.77 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车