导通电阻(RDS(on)):0.0041Ω@4.5V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):87nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.1W,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0041Ω@4.5V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |