反向传输电容(Crss):221pF,导通电阻(RDS(on)):7.2mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):94nC,漏源电压(Vdss):69V,耗散功率(Pd):160W,输入电容(Ciss):3400pF@25V,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 221pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 69V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 输入电容(Ciss) | 3400pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |