温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
IPB60R099C6
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPB60R099C6
- 商品编号
- C454266
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.001573千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):154pF,导通电阻(RDS(on)):0.099Ω@10V,18.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):119nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):278W,输入电容(Ciss):2660pF@100V,连续漏极电流(Id):37.9A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 154pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.099Ω@10V,18.1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 输入电容(Ciss) | 2660pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
30.45 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车