反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):260mΩ@10V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):24nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1010pF@400V,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V,6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1010pF@400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥11.11/个 |
| 10+ | ¥10.19/个 |
| 30+ | ¥9.62/个 |
| 100+ | ¥9.03/个 |
| 500+ | ¥8.76/个 |
| 800+ | ¥8.65/个 |
整盘
单价
整盘单价¥7.958
800 PCS/盘
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