反向传输电容(Crss):1.93pF@100V,导通电阻(RDS(on)):350mΩ@10V,7.5A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):39nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):160W,输入电容(Ciss):820pF@100V,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.93pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V,7.5A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |