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STB12NM50ND
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STB12NM50ND
- 商品编号
- C165927
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.001915千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):0.38Ω@10V,5.5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):100W,输入电容(Ciss):850pF,输出电容(Coss):48pF,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.38Ω@10V,5.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 输出电容(Coss) | 48pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
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