反向传输电容(Crss):199pF,导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@10V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):80V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):3150pF,输出电容(Coss):440pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 199pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 输入电容(Ciss) | 3150pF | |
| 输出电容(Coss) | 440pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |