反向传输电容(Crss):762pF,导通电阻(RDS(on)):2mΩ@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):247nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):214W,输出电容(Coss):1236pF,连续漏极电流(Id):290A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 762pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 247nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 输出电容(Coss) | 1236pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 290A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |