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NTB5605PT4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTB5605PT4G
- 商品编号
- C150241
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.001816千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):67pF,导通电阻(RDS(on)):140mΩ@5V,17A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):88W,输入电容(Ciss):730pF,输出电容(Coss):211pF,连续漏极电流(Id):18.5A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@5V,17A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF | |
| 输出电容(Coss) | 211pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
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