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HY3210B
扩展库- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 厂家型号
- HY3210B
- 商品编号
- C357997
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.002126千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@10V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):237W,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 237W | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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