反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):14.6nC@5V,漏源电压(Vdss):1000V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):800mA,阈值电压(Vgs(th)):4V@25uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.6nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1000V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@25uA |