反向传输电容(Crss):537pF,导通电阻(RDS(on)):3.6mΩ@10V,88A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):121nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):192W,输入电容(Ciss):4426pF,输出电容(Coss):1027pF,连续漏极电流(Id):180A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 537pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V,88A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 输入电容(Ciss) | 4426pF | |
| 输出电容(Coss) | 1027pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |