反向传输电容(Crss):170pF,导通电阻(RDS(on)):11mΩ@10V,40A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):75nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):176W,输入电容(Ciss):3400pF,输出电容(Coss):450pF,连续漏极电流(Id):-,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,40A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 输入电容(Ciss) | 3400pF | |
| 输出电容(Coss) | 450pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |