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STB14NK50ZT4
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STB14NK50ZT4
- 商品编号
- C116183
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.001915千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):55pF,导通电阻(RDS(on)):0.38Ω@10V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):92nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):2000pF,输出电容(Coss):238pF,连续漏极电流(Id):14A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@100uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.38Ω@10V,6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 2000pF | |
| 输出电容(Coss) | 238pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
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