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NCE75H21D
扩展库- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 厂家型号
- NCE75H21D
- 商品编号
- C181944
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.002016千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):4mΩ@10V,40A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):250nC,漏源电压(Vdss):75V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):330W,输入电容(Ciss):11000pF,输出电容(Coss):914pF,连续漏极电流(Id):210A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,40A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 输入电容(Ciss) | 11000pF | |
| 输出电容(Coss) | 914pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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