反向传输电容(Crss):85pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@4.5V,6A,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):6.1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):585pF,输出电容(Coss):100pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V,6A | |
| 工作温度 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |