反向传输电容(Crss):200pF,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):11.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):46nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):1780pF,输出电容(Coss):235pF,连续漏极电流(Id):39A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 输入电容(Ciss) | 1780pF | |
| 输出电容(Coss) | 235pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0483/个 |
| 50+ | ¥0.806/个 |
| 150+ | ¥0.702/个 |
| 500+ | ¥0.573/个 |
| 2500+ | ¥0.515/个 |
| 5000+ | ¥0.48/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.445
5000 PCS/盘
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