反向传输电容(Crss):240pF,导通电阻(RDS(on)):4mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ@4.5V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):42nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1750pF,输出电容(Coss):320pF,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1750pF | |
| 输出电容(Coss) | 320pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |